人所共知chatgpt 文爱，好意思国打压中国芯片产业，是有明确蓄意的。

一是锁死逻辑芯片在14nm，二是锁死NAND闪存在128层，三是锁死DRAM内存在18nm，不允许中国的技巧参加好意思国的闭塞层之下。

为此，好意思国更是连合日本、荷兰等，对先进的半导体成立进行闭塞，任何不错制造闭塞层底下的成立，齐禁运……

不外，从刻下的情况来看，好意思国设的这个闭塞，一谈被中国阻难了。

先说逻辑芯片方面，好意思国事念念要锁死在14nm工艺，但内容上呢，早就阻难了。

具体的东西不太好细说，毕竟中芯外洋下线了对于14nm FinFET技巧的先容chatgpt 文爱，但全球念念一念念麒麟900S、麒麟9010、麒麟9020这三颗芯片，就知道咱们毫不可能是14nm，具体是若干，全球应该自轻自贱吧，详情是低于14nm的……

再看NAND闪存芯片，也等于全球熟谙的，用于SSD硬盘居品的芯片，好意思国的蓄意是锁死咱们在128层，不再前进。

长存早在2022年就量产了232层的NAND芯片，况且是全球第一家量产232层NAND芯片的厂商，自后好意思国打压长存。

但据媒体的音信，刻下长存使用国产应链，也竣事了160层的NAND闪存居品，况且从存储密度来看，达到了12.66 Gb/mm2，不输三星、好意思光等外洋大厂。

再看DRAM内存方面，好意思国的蓄意锁死在18nm工艺，不可再前进。

事实上18nm工艺，也等于DDR4的水平，不准再参加DDR5，因为参加DDR5的话，就要阻难18nm工艺了。

而近日，韩国媒体ZDNet Korea报谈称，中国DRAM芯片大厂长存（CXMT）照旧量产了DDR5内存芯片。

而TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士说则称，这款DDR5 的开拓是使用 G3 工艺（线宽 17.5 nm）进行的，彰着亦然阻难了18nm了。

可见，越是打压，中国芯片产业朝上越快，好意思国念念要闭塞的三个地方，被咱们齐阻难了。

而按照网友们的说法，一朝中国掌抓的技巧chatgpt 文爱，那么将飞快造成白菜价，是以接下来不知谈那些外洋大厂，准备好管待中国厂商的冲击了么？